產(chǎn)品簡(jiǎn)介
iPS細(xì)胞培養(yǎng)基是一種適用于無飼養(yǎng)層培養(yǎng)、化學(xué)成分明確、并且不含動(dòng)物源蛋白的人多潛能干細(xì)胞（hESC/hiPSC）完全培養(yǎng)基。iPS細(xì)胞培養(yǎng)基是在James Thomson實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的Essential 8培養(yǎng)基的基礎(chǔ)上，由本公司改良研發(fā)出的最新型多潛能干細(xì)胞完全培養(yǎng)基。hESC/hiPSC在iPS細(xì)胞培養(yǎng)基中可以快速增殖，而分化的細(xì)胞則無法在該培養(yǎng)基中生長(zhǎng)，從而選擇性擴(kuò)增并獲得高純度多潛能干細(xì)胞。
試劑準(zhǔn)備：
iPS細(xì)胞完全培養(yǎng)基：將iPS細(xì)胞添加劑加入iPS細(xì)胞基礎(chǔ)培養(yǎng)基中形成iPS細(xì)胞完全培養(yǎng)基（推薦每2mL添加劑與50mL基礎(chǔ)培養(yǎng)基混合）。
iPS細(xì)胞完全培養(yǎng)基可在2-8℃穩(wěn)定儲(chǔ)存2-3周。
疑難解答：
•是否還需要往iPS細(xì)胞完全培養(yǎng)基中補(bǔ)充或添加成分？
不需要。iPS細(xì)胞培養(yǎng)基中各個(gè)成分的質(zhì)量和濃度都經(jīng)過了最優(yōu)化實(shí)驗(yàn)，完全支持人ESC/iPSC的長(zhǎng)期培養(yǎng)，您無需再自行添加。
•培養(yǎng)基中有沉淀狀物質(zhì)是否是質(zhì)量問題？
添加劑在解凍過程中，若有少量沉淀析出，屬于正?，F(xiàn)象，不影響使用，請(qǐng)充分混勻后與基礎(chǔ)培養(yǎng)基混合。但添加劑不能在37℃解凍，否則會(huì)析出大量沉淀，影響培養(yǎng)基的效價(jià)。如果培養(yǎng)基中出現(xiàn)大量沉淀，請(qǐng)不要使用。
•是否能在37℃反復(fù)水浴iPS細(xì)胞完全培養(yǎng)基？
不能。頻繁地在4℃和37℃之間轉(zhuǎn)換會(huì)導(dǎo)致iPS細(xì)胞完全培養(yǎng)基中含有的因子失活，iPS細(xì)胞完全培養(yǎng)基在使用前平衡至室溫即可。
•iPS細(xì)胞在傳代后不貼壁怎么解決？
造成iPS傳代后不貼壁的最可能的原因：
①細(xì)胞消化時(shí)間不合適；②消化后吹打次數(shù)不合適，使得完成傳代后細(xì)胞集落過大或過小。
•iPS分化怎么處理？
?、偌?xì)胞在剛復(fù)蘇或傳代時(shí)，小的細(xì)胞團(tuán)不呈現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的克隆形態(tài)，培養(yǎng)幾天或傳代后可恢復(fù)。
②如果iPS分化的表現(xiàn)為干細(xì)胞克隆形態(tài)良好，克隆周邊出現(xiàn)散在的分化細(xì)胞，可通過高比例傳代（≥1:10），使得分化細(xì)胞的密度減少，低密度的分化細(xì)胞可被iPS培養(yǎng)體系篩選去除，如未完全去除，可用細(xì)胞刮或巴斯德管刮除。
?、廴绻鹖PS分化的表現(xiàn)為克隆內(nèi)部松散，邊緣不平滑，在分化比例小或分化不嚴(yán)重的情況下，可通過連續(xù)傳代2~3次恢復(fù)，如果分化嚴(yán)重，建議棄除。
•細(xì)胞復(fù)蘇率低是什么原因？
細(xì)胞復(fù)蘇需使用iPS細(xì)胞復(fù)蘇培養(yǎng)基，可大大提高細(xì)胞的復(fù)蘇效率。復(fù)蘇過程中，轉(zhuǎn)移細(xì)胞、吹打混勻和重懸細(xì)胞時(shí)，吹打力度要輕柔，并盡量減少吹打次數(shù)，細(xì)胞接種后，即刻在顯微鏡下觀察細(xì)胞團(tuán)塊的大小，4~10個(gè)細(xì)胞的團(tuán)塊為最佳。如果吹打力度過大或次數(shù)過多，導(dǎo)致細(xì)胞分散成單細(xì)胞，細(xì)胞復(fù)蘇率將偏低。
